近年來，作為LED產(chǎn)業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，UVLED產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。UV LED（Ultra-Violet Light Emitting Diode）波長200nm-400nm的紫外線光源，與現(xiàn)有光源相比，具有壽命長、環(huán)保、能耗低、無熱輻射、體積小、固化時間快等優(yōu)點。目前，UV-A LED（波長320-400nm）主要用于固化和干燥等應(yīng)用，占整個UV-LED應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的至少一半。UV-C LED（波長200-280nm）主要用于殺菌消毒和凈化等應(yīng)用，有望成為今后UV LED市場的新動力。

與傳統(tǒng)LED不同，UV LED需要專業(yè)的電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)設(shè)計，需要專業(yè)的特殊場景驗證。目前，行業(yè)發(fā)展還存在較大的技術(shù)瓶頸，產(chǎn)品良率不高。存在可靠性差等問題。為了提高UV LED的可靠性，包裝企業(yè)需要對真空擴(kuò)散焊接工藝進(jìn)行升級和使用，同時保證原料的高質(zhì)量，做好二次防熱設(shè)計。真空擴(kuò)散焊接加工原理是什么意思啊圖片

真空回流焊：減少空洞率，提高可靠性

UV LED根據(jù)封裝方式和集成度分為分離型組件和集成模塊，集成模塊分為芯片板（COB）和設(shè)備板（DOB）。COB將多個LED芯片直接焊接在一個基板上。DOB首先將LED芯片封裝在部件內(nèi)，然后將多個部件焊接在一個基板上，DOB比COB更有利于標(biāo)準(zhǔn)化的大規(guī)模生產(chǎn)，一旦發(fā)生制造不良，DOB只損失某個部件，在使用過程中發(fā)生光源失效，DOB只需更換失效的部件即可。

研究表明，DOB連接層（包括固定層和軟層）的焊接質(zhì)量對UV LED的發(fā)射率、總熱阻和可靠性有很大影響。目前固定層焊接工藝比較成熟，但由于技術(shù)問題，零件與基板間的焊接層不可避免地產(chǎn)生氣泡，形成空洞。

研究表明，孔對熱阻的影響關(guān)系為隨機(jī)分布的多個小孔（總百分比為V%），對部件總熱阻（Rjc）的影響關(guān)系為Rjc=0.007V%+1.4987，多個大孔對部件總熱阻的影響關(guān)系為Rjc=1.427e0.015V%。真空擴(kuò)散焊接加工原理是什么意思啊圖片

空洞率越低，散熱越好，空洞率越大，散熱越差，空洞率越大，散熱能力越差，UV LED產(chǎn)品的良率越低，可靠性越差，UV LED芯片的使用壽命也越短，一些UV LED封裝及應(yīng)用企業(yè)因此遭受了很大損失目前的行業(yè)大多是傳統(tǒng)的UV LED封裝及應(yīng)用企業(yè)。采用回流焊接技術(shù)，焊接空洞率一般達(dá)到30%以上。真空擴(kuò)散焊接加工原理是什么意思啊圖片

針對以上問題，UV LED行業(yè)部分龍頭企業(yè)已轉(zhuǎn)向真空擴(kuò)散焊接技術(shù)，大大降低了UV LED芯片焊接的空洞率，有效提高了可靠性。北京中科東芝科技已經(jīng)實現(xiàn)了UV LED專用真空焊接，即開發(fā)出專門用于UV LED芯片和模塊焊接的真空回流焊接爐，可無縫替代進(jìn)口真空焊接爐，采用中科東芝技術(shù)的UV LED真空焊接爐，可將UV LED芯片焊接空洞率控制在3%以下。

此外，Jenos電子的UV LED專用真空環(huán)流特別針對UV LED產(chǎn)品。在使用UV LED芯片的過程中，其能量全部由亮度釋放。其他焊接工藝會損傷表面，影響發(fā)光。中國企業(yè)正方真空環(huán)流不會損壞UV LED照明亮度，保證能量完全釋放。我起不來。

保證原料高品質(zhì)和二次散熱設(shè)計的合理性

為了提高可靠性，除了在真空擴(kuò)散焊接爐中改變封裝焊接以降低UV LED的空洞率外，還需要著重以下兩點。

1.選擇高品質(zhì)的基板、芯片和軟膏。特別是在UV LED產(chǎn)品的批量生產(chǎn)過程中，必須確?；宓馁|(zhì)量。ont FACE=松體>UV LED集成模塊中使用的基板主要有銅基板和氮化鋁（AlN）陶瓷基板兩種。與氮化鋁陶瓷基板相比，銅基板具有以下優(yōu)點：價格更低。材質(zhì)結(jié)實，不易出現(xiàn)裂紋和裂紋。形狀的大小容易變化。根據(jù)包裝材料的選擇，零件的性能和可靠性等有一定的差異。真空擴(kuò)散焊接加工原理是什么意思啊圖片

2.保證UV LED模塊化使用過程中幼稚散熱設(shè)計的合理性，可參考以下規(guī)則：

a.UV LED模塊總功率×50% 1 1.3小于散熱功率“作為散熱的充分理論判斷依據(jù)。相對于冷卻冷卻冷卻，冷卻電力為（出水口溫度-進(jìn)水口溫度）x流速×按水或其他散熱介質(zhì)的比熱容量公式計算。對于風(fēng)和冷卻，使用相同的方法計算。

b.實驗樣品完成后，靠近UV LED的散熱基板溫度不超過攝氏55度，作為實驗成功的判斷依據(jù)。（可測試中間墊的溫度，同時考慮進(jìn)入實際設(shè)備或?qū)嶋H工作環(huán)境的情況，也應(yīng)考慮環(huán)境溫度和極端條件。）